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BAT54CV All information provided in this document is subject to legal disclaimers. ? NXP B.V. 2010. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 3 — 15 November 2010 4 of 10
NXP Semiconductors
BAT54CV
Two Schottky barrier double diodes
7. Characteristics
[1] Pulse test: tp
≤
300
μs; δ≤0.02.
Table 7. Characteristics
Tamb
=25°C unless otherwise specified.
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Per diode
VF
forward voltage
[1]
IF
=0.1mA - - 240 mV
IF
=1mA - - 320 mV
IF
=10mA - - 400 mV
IF
=30mA - - 500 mV
IF
= 100 mA - - 800 mV
IR
reverse current VR
=25V - - 2
μA
Cd
diode capacitance VR
=1V; f=1MHz - - 10 pF
(1) Tamb
= 125
°C
(2) Tamb
=85°C
(3) Tamb
=25°C
(1) Tamb
= 125
°C
(2) Tamb
=85°C
(3) Tamb
=25°C
Fig 1. Forward current as a function of forward
voltage; typical values
Fig 2. Reverse current as a function of reverse
voltage; typical values
103
102
10?1
0
IF
(mA)
VF
(V)
10
1
(1)
1.2
0.8
0.4
msa892
(2)
(3)
(1)
(2)
(3)
10?10102030
VR
(V)
103
102
IR
(μA)
10
1
(1)
(2)
(3)
msa893
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